Low Capacitance, Triple/Quad SPDT -15 V/12 V i CMOS Switches

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低电容, ±15 V/12 V iCMOS™ 、三通道单刀双掷开关

ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS®模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。\n\n 所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。该器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。\n\n iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。\n\n 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压， • 1.5 pF 关断电容\n\n• 0.5 pC电荷注入\n\n• 电源电压范围：33 V\n\n• 导通电阻：120 Ω\n\n• 额定电源电压：±15 V/+12 V\n\n• 3 V 逻辑兼容输入\n\n• 轨到轨工作\n\n• 先开后合式开关动作\n\n• 16引脚和20引脚TSSOP、4 mm × 4 mm LFCSP封装\n\n• 典型功耗：<0.03 μW;

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Low Capacitance, Triple/Quad SPDT

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