Low Capacitance, Low Charge Injection, 15 V/12 V iCMOS Dual SPST Switches

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低电容、低电荷注入、±15 V/+12 ViCMOS® 双通道单刀单掷开关

ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS 器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。\n\n 这些开关具有超低电容和极低的电荷注入特性，因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。图2显示，在器件 • 电荷注入：小于0.5 pC（整个信号范围内）\n\n• 关断电容：2 pF\n\n• 关断泄漏：2 pA\n\n• 电源电压范围：33 V\n\n• 导通电阻：120 Ω;

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Low Capacitance, Low Charge Injection, 짹15 V/12 V iCMOS짰 Dual SPST Switches

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