Low Capacitance, Low Charge Injection, 짹15 V/12 V iCMOS??SPDT in SOT-23

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亚德诺

低电容、低电荷注入、±15 V/12 V iCMOS® 单刀双掷开关，采用SOT-23封装

ADG1219是一款单芯片iCMOS®器件，内置单刀双掷（SPDT）开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各通道在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。每个开关均为先开后合式。\n\n         iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸 • 电荷注入：小于0.5 pC（整个信号范围内）\n\n• 2.5 pF关断电容\n\n• 低泄漏：0.6 nA（最大值，85°C）\n\n• 导通电阻：120 Ω\n\n\n\n• 额定电源电压：+12 V、±15 V\n\n• 无需VL电源\n\n• 3 V逻辑兼容输入\n\n• 轨到轨工作\n\n• 8引脚SOT-23封装;

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