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ADA4177-4ARUZ	文件：1.0819 Mbytes Page：33 Pages	OVP and EMI Protected, Precision, Low Noise and Bias Current Op Amps FEATURES Low offset voltage: 60 μV maximum at 25°C (8-lead and 14-lead SOIC) Low offset voltage drift: 1 μV/°C maximum (8-lead and 14-lead SOIC) Low input bias current: 1 nA maximum at 25°C Low voltage noise density: 8 nV/√Hz typical at 1 kHz Large signal voltage gain (AVO): 100 dB minimum ov 文件：1.0819 Mbytes 页数：33 Pages	AD 亚德诺	AD
ADA4177-4ARUZ	文件：854.15 Kbytes Page：31 Pages	OVP and EMI Protected, Precision, Low Noise and Bias Current Op Amps 文件：854.15 Kbytes 页数：31 Pages	AD 亚德诺	AD
ADA4177-4ARUZ-R7	文件：1.0819 Mbytes Page：33 Pages	OVP and EMI Protected, Precision, Low Noise and Bias Current Op Amps FEATURES Low offset voltage: 60 μV maximum at 25°C (8-lead and 14-lead SOIC) Low offset voltage drift: 1 μV/°C maximum (8-lead and 14-lead SOIC) Low input bias current: 1 nA maximum at 25°C Low voltage noise density: 8 nV/√Hz typical at 1 kHz Large signal voltage gain (AVO): 100 dB minimum ov 文件：1.0819 Mbytes 页数：33 Pages	AD 亚德诺	AD
ADA4177-4ARUZ-RL	文件：1.0819 Mbytes Page：33 Pages	OVP and EMI Protected, Precision, Low Noise and Bias Current Op Amps FEATURES Low offset voltage: 60 μV maximum at 25°C (8-lead and 14-lead SOIC) Low offset voltage drift: 1 μV/°C maximum (8-lead and 14-lead SOIC) Low input bias current: 1 nA maximum at 25°C Low voltage noise density: 8 nV/√Hz typical at 1 kHz Large signal voltage gain (AVO): 100 dB minimum ov 文件：1.0819 Mbytes 页数：33 Pages	AD 亚德诺	AD
ADA4177-4ARUZ-R7	文件：854.15 Kbytes Page：31 Pages	OVP and EMI Protected, Precision, Low Noise and Bias Current Op Amps 文件：854.15 Kbytes 页数：31 Pages	AD 亚德诺	AD
ADA4177-4ARUZ-RL	文件：854.15 Kbytes Page：31 Pages	OVP and EMI Protected, Precision, Low Noise and Bias Current Op Amps 文件：854.15 Kbytes 页数：31 Pages	AD 亚德诺	AD

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