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AN8011S	文件：161.9 Kbytes Page：16 Pages	2-channelstep-down,step-up,orinvertinguseDC-DCconvertercontrolIC	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AOZ8011	文件：279.28 Kbytes Page：7 Pages	8-LineEMIFilterwithIntegratedESDProtection	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ8011DI	文件：279.28 Kbytes Page：7 Pages	8-LineEMIFilterwithIntegratedESDProtection	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APT8011	文件：71.36 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™FREDFET PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesa	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8011	文件：69.74 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™ PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesalongwit	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8011JFLL	文件：270.17 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7®FREDFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalo	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT8011JFLL	文件：71.36 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™FREDFET PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesa	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8011JFLL	文件：535.54 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=51A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.125Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT8011JLL	文件：112.27 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8011JLL	文件：69.74 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™ PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesalongwit	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
BCM8011	文件：137.51 Kbytes Page：1 Pages	FOURCHANNEL3.125GIGABITETHERNETCMOSTRANSCEIVER	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM8011	文件：143.63 Kbytes Page：2 Pages	FOUR-CHANNEL3.125GIGABITETHERNETCMOSTRANSCEIVER	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BGU8011	文件：331.12 Kbytes Page：19 Pages	SiGe:CLowNoiseAmplifierMMICforGPS,GLONASS,GalileoandCompass	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BRD8011	文件：335.17 Kbytes Page：27 Pages	HighPerformanceResonantModeController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BRD8011/D	文件：160.4 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating −HumanBodyModel:>4000V −MachineModel:>400V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BRD8011D	文件：160.4 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating −HumanBodyModel:>4000V −MachineModel:>400V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BRD8011D	文件：335.17 Kbytes Page：27 Pages	HighPerformanceResonantModeController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BRD8011-D	文件：160.4 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating −HumanBodyModel:>4000V −MachineModel:>400V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CYT8011TG	文件：632.34 Kbytes Page：7 Pages	LIne-ControlledIntegratedCircuitLEDControlIntegratedCircuit	CYTChangyuntong Semiconductor Technology Co., Ltd. 长运通深圳市长运通半导体技术有限公司	CYT
EG8011	文件：1.96061 Mbytes Page：17 Pages	Single-phaseSPWMinverter	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO

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详细参数

型号：
AD8011ANZ
功能描述：
IC OPAMP CF LP LDIST 30MA 8DIP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
2,500
放大器类型：
通用
电路数：
4
输出类型：
-
转换速率：
0.6 V/µs
增益带宽积：
1MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
45nA 电压 -
输入偏移：
2000µV 电流 -
电源：
1.4mA 电流 -
输出/通道：
40mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
14-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商设备封装：
14-TSSOP
包装：
带卷(TR)
其它名称：
LM324ADTBR2G-NDLM324ADTBR2GOSTR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AD8011ANZ供应商更新时间2024-6-4 14:14:00

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