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BAT754A	文件：2.10017 Mbytes Page：10 Pages	Schottkybarrierdiodes 1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits Lowforwardvoltage Lowcapacitance AEC-Q101qualified 1.3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754C	文件：37.27 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features Ultrahighswitchingspeed Guardringprotected SmallplasticSMDpackage Lowdiodecapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAT754C	文件：47.02 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT23smallplasticSMDpackage.LowforwardvoltageselectionoftheBAT54series.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES •Verylowforwardvoltage •Guardringprotected •Small	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT754C	文件：2.10017 Mbytes Page：10 Pages	Schottkybarrierdiodes 1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits Lowforwardvoltage Lowcapacitance AEC-Q101qualified 1.3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754C-Q	文件：193.94 Kbytes Page：8 Pages	DualSchottkybarrierdiode 1.Generaldescription PlanardualSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101and	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754L	文件：37.15 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierTripleDiode SchottkyBarrierTripleDiode Features Verylowforwardvoltage Guardringprotected Lowdiodecapacitance ThreeindependentdiodesinasmallplasticSMDpackage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAT754L	文件：53.32 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarriertriplediode DESCRIPTION Threeinternal(galvanic)isolatedsiliconepitaxialSchottkybarrierdiodesinaSOT363smallSMDplasticpackage. FEATURES •Verylowforwardvoltage •Guardringprotected •Lowdiodecapacitance •ThreeindependentdiodesinasmallplasticSMDpackage. APP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT754L	文件：1.95195 Mbytes Page：9 Pages	Schottkybarriertriplediode 1.1Generaldescription ThreeinternalisolatedplanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringfor stressprotection,encapsulatedinverysmallSOT363Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 1.2Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •AEC-Q101	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754L-Q	文件：200.36 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarriertriplediode 1.Generaldescription ThreeinternalisolatedplanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstress protection,encapsulatedinverysmallSOT363Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •Qualifiedac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754-Q	文件：193.72 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdiode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedina smallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecom	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
AD754TD
制造商：
AD
制造商全称：
Analog Devices
功能描述：
12-Bit Buffered Miltiplying CMOS D/A Converter

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