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BD677	文件：112.58 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNDarlingtons PlasticMedium-PowerSiliconNPNDarlingtions ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675,675A,677,677A,679,679A,681arecomplementar	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD677	文件：134.84 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS PNPSiliconDarlingtonTransistors Epibasepowerdarlingtontransistors(40W)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD677	文件：135.28 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS PNPSiliconDarlingtonTransistors Epibasepowerdarlingtontransistors(40W)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD677	文件：87.96 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD677	文件：382.94 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD677	文件：132.42 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNDarligtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD676/678/680 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD677	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD677	文件：382.93 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD677	文件：114.05 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/AareNPNtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. PNPcomplementsareBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD677	文件：99.98 Kbytes Page：2 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNDarlingtons Thisseriesofplastic,medium-powersiliconNPNDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral-purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@Ic=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675.675A,677,677A.679,679A,68	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
AD677KD
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
16
采样率（每秒）：
100k
输入数：
1
输入类型：
单端
数据接口：
SPI
配置：
S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
SAR
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
±12V
电压 - 供电，数字：
5V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
16-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
16-PDIP
安装类型：
通孔
描述：
IC ADC 16BIT SAR 16DIP

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