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AD648SCHIPS	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648SQ	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648T	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ARF648	文件：80.72 Kbytes Page：4 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE Repetitivevoltageupto2500V Meanforwardcurrent2510A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BD648	文件：114.77 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD648	文件：94.37 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD648	文件：108.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD648	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD648	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD648	文件：452.78 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS •DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649ANDBD651 •62.5Wat25°CCaseTemperture •8AContinuousCollectorCurrent •MinimumhFEof750at3V,3A	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

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