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ACPL-P349-000E中文资料2.5A 输出电流 SiC/GaN MOSFET 及 IGBT 门驱动光电耦合器数据手册Broadcom规格书
ACPL-P349-000E规格书详情
描述 Description
Broadcom ACPL-P349 2.5A 高速门驱动光电耦合器包含一个 AlGaAs LED，并与一个功率输出级集成电路进行光电耦合。该器件非常适合驱动功率转换应用中所用的 SiC/GaN（碳化硅/氮化镓）MOSFET 及 IGBT。输出级的高工作电压范围提供了门控设备所需的驱动电压。该器件支持的高轨对轨输出电压和高峰值输出电流非常适合用来直接驱动额定值达 1200V/100A 的 MOSFET 和 IGBT。ACPL-P349 已通过 IEC/ EN/DIN EN 60747-5-5 和 UL1577 规定的高绝缘电压 VIORM = 891 VPEAK 以及 3750 VRMS/min 的安全标准。
特性 Features
·2.5A 最大峰值输出电流
·宽 VCC 工作电压范围：15V 至 30V
·最大传播延迟：110ns
·最大传播延迟差异：50ns
·轨对轨输出电压
·
VCM = 1500V 时，共模抑制 (CMR) 能力至少达 50-kV/μs
·带滞后 LED 电流输入
·ICC = 4.2mA 最大供电电流
·带滞后欠压锁定 (UVLO) 保护
·工业级温度范围：-40°C 至 105°C
·安全规范认证：·UL 认证 3,750 VRMS 每分钟
·CSA 认证
·IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VIORM = 891 VPEAK
·可选方案包括：
060E = IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
500E = 卷带式封装方案
XXXE = 无铅
应用 Application
SiC/GaN MOSFET and IGBT Gate Drive
Motor Drives
Industrial Inverters
Renewable Energy Inverters
Switching Power Supplies (SPS)
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