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ADM488ANZ	文件：385.88 Kbytes Page：16 Pages	Full-Duplex,LowPower,SlewRateLimited,EIARS-485Transceivers FEATURES MeetsEIARS-485andRS-422standards 250kbpsdatarate Single5V±10supply −7Vto+12Vbuscommon-moderange 12kΩinputimpedance 2kVEFTprotectionmeetsIEC1000-4-4 HighEMimmunitymeetsIEC1000-4-3 ReducedslewrateforlowEMinterference Short-circuitprotection E	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AN488XX	文件：395.88 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMount,HallEffectLatches,MagneticDigital-PositionSensorIC?셲	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
AOD488	文件：1.00144 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD488	文件：196.1 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD488usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD488isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD488	文件：319.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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