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A5G35S008NT6

Airfast RF Power GaN Transistor

This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 3300 to 3800 MHz. Features • High terminal impedances for optimal broadband performance • Designed for low complexity linearization systems • Universal broadband driver •

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恩XP

恩XP

A5G35S008NT6

Airfast RF Power GaN Transistor

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恩XP

恩XP

A5S55-CO-RH

TFBGA404

Ambarella

安霸半导体

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A5S66

BGA

Ambarella

安霸半导体

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A5S66-C0-RH

BGA100

Ambarella

安霸半导体

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更多A5G35S008NT6供应商 更新时间2025-12-6 14:01:00