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A3I35D025WNR1	文件：700.79 Kbytes Page：18 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
A3I35D025WNR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-270-17 变式，扁平引线类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

产品编号：
A3I35D025WNR1
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
托盘
频率：
3.2GHz ~ 4GHz
P1dB：
42.6dBm
增益：
30.5dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
28V
测试频率：
3.8GHz ~ 4GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-270-17 变式，扁平引线
供应商器件封装：
TO-270WB-17
描述：
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

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更多A3I35D025WNR1供应商更新时间2024-4-27 10:02:00

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