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A3G26H350W17SR3 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 NXP/恩智浦
- 详细信息
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原厂料号:A3G26H350W17SR3品牌:NXP
A3G26H350W17SR3是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商NXP/NXP USA Inc.生产封装NI-780S-4S2S的A3G26H350W17SR3晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
A3G26H350W17SR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
- 包装:
带
- 频率:
2.496GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
13.3dB
- 功率 - 输出:
59W
- 封装/外壳:
NI-780S-4S2S
- 供应商器件封装:
NI-780S-4S2S
- 描述:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
供应商
- 企业:
兆亿微波(北京)科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
魏小姐
- 手机:
13718660290
- 询价:
- 电话:
010-82888379
- 地址:
北京市海淀区上地五街16号1幢4层4110室
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