A3G26D055NT4 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

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1+	面议

厂家型号：
A3G26D055NT4
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
NXP/恩智浦
库存数量：
10000
产品封装：
NA
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-30 15:00:00

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详细信息
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原厂料号：A3G26D055NT4品牌：NXP

射频晶体管

A3G26D055NT4是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商NXP/NXP USA Inc.生产封装NA/6-LDFN 裸露焊盘的A3G26D055NT4晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
A3G26D055NT4
规格书：
下载下载2
企业简称：
NXP【恩智浦】详情
厂商全称：
NXP Semiconductors
中文名称：
恩智浦半导体公司
内容页数：
11 页
文件大小：
231.87 kb
资料说明：
Airfast RF Power GaN Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
A3G26D055NT4
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
GaN
频率：
100MHz ~ 2.69GHz
增益：
13.9dB
功率 - 输出：
8W
封装/外壳：
6-LDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
6-PDFN（7x6.5）
描述：
RF GAN MOSFET AIRFAST 8W 48V

供应商

企业：
北京京北通宇电子元件有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
吴佳玉
手机：
18724450645
询价：
电话：
18724450645
地址：
北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505

A3G26D055NT4 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

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