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BP3212	文件：237.53 Kbytes Page：2 Pages	HighEfficiencyTRIACdimmableLEDDriver	BPSBright Power Semiconductor Co., Ltd. 晶丰明源上海晶丰明源半导体股份有限公司	BPS
BPF-3212-V	文件：722.53 Kbytes Page：1 Pages	12.1FanlessPanelPCwithTouchScreen,P-M/ULVC-M,2WStereoSpeaker	BOSER BOSER Technology Co., Ltd	BOSER
CM3212	文件：200.4 Kbytes Page：11 Pages	VTTTerminationVoltageRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH3212	文件：54.05 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features •AdoptionofMBITprocesses. •Highcurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.9mm). •Highallowablepowerdissipation. Applications •Relaydriv	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH3212	文件：582.07 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor50V,5A,LowVCE(sat),NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Highcurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) •Highallowablepowerdissipation Applications •Relaydrivers,lampdrivers,motordriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH3212-TL-E	文件：582.07 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor50V,5A,LowVCE(sat),NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Highcurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) •Highallowablepowerdissipation Applications •Relaydrivers,lampdrivers,motordriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CS-3212	文件：122.88 Kbytes Page：1 Pages	solidstatebuzzer	CUI CUI Inc.	CUI
D3212	文件：2.14089 Mbytes Page：11 Pages	FX2Relay FX2Relay Disclaimer WhileTycoElectronicshasmadeeveryreasonableefforttoensuretheaccuracyoftheinformationinthisdatasheet,TycoElectronicsdoesnotguaranteethatitiserror-free,nordoesTycoElectronicsmakeanyotherrepresentation,warrantyorguaranteethattheinformation	MACOM Tyco Electronics	MACOM
FJNS3212R	文件：26.77 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R=47KΩ) •ComplementtoFJNS4212R	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G3212	文件：86.49 Kbytes Page：1 Pages	LowCapacitanceVGA2:2Dual-GraphicsCrossoverswitch	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT

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产品属性

产品编号：
A3212EEHLT-T
制造商：
Allegro MicroSystems
类别：
传感器，变送器 > 磁性传感器 - 开关（固态）
包装：
散装
功能：
全极开关
技术：
霍尔效应
极化：
北极，南极
感应范围：
±5.5mT 跳闸，±1mT 释放
测试条件：
-40°C ~ 85°C
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.5V
电流 - 供电（最大值）：
2mA
电流 - 输出（最大值）：
1mA
输出类型：
开路漏极
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
6-MLP/DFN（2x3）
封装/外壳：
6-PowerWFDFN
描述：
MAG SWITCH OMNIPOLAR 6MLP/DFN

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