A2T18S262W12NR3 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

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1+	面议

厂家型号：
A2T18S262W12NR3
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
NXP/恩智浦
库存数量：
2500
产品封装：
OM-880X-2
生产批号：
22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2023-10-9 11:26:00

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详细信息
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原厂料号：A2T18S262W12NR3品牌：NXP/恩智浦

进口原装,优势现货

A2T18S262W12NR3是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商NXP/恩智浦/NXP USA Inc.生产封装OM-880X-2/OM-880X-2L2L的A2T18S262W12NR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
A2T18S262W12NR3
规格书：
下载下载2
企业简称：
NXP【恩智浦】详情
厂商全称：
NXP Semiconductors
中文名称：
恩智浦半导体公司
内容页数：
14 页
文件大小：
359.81 kb
资料说明：
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

产品属性

类型
描述
产品编号：
A2T18S262W12NR3
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.805GHz ~ 1.88GHz
增益：
19.3dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
231W
封装/外壳：
OM-880X-2L2L
供应商器件封装：
OM-880X-2L2L
描述：
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供应商

企业：
北京三盛恒业电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
王小姐/陈小姐
手机：
13699166460
询价：
电话：
19180595649/13699166460
传真：
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地址：
北京市海淀区知春路114号华源写字楼306

A2T18S262W12NR3 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

A2T18S262W12NR3

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