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A2C35S12M3-F分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

A2C35S12M3-F
厂商型号

A2C35S12M3-F

参数属性

A2C35S12M3-F 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2

功能描述

ACEPACKTM 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A, trench gate field‑stop M series IGBT with soft diode and NTC
IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2

封装外壳

模块

文件大小

1.23391 Mbytes

页面数量

19

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 16:38:00

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A2C35S12M3-F规格书详情

A2C35S12M3-F属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由意法半导体集团制造生产的A2C35S12M3-F晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

Features

• ACEPACK™ 2 power module

– DBC Cu Al2O3 Cu

• Converter inverter brake topology

– 1600 V, very low drop rectifiers for converter

– 1200 V, 35 A IGBTs and diodes

– Soft and fast recovery diode

• Integrated NTC

Description

This power module is a converter-inverter brake (CIB) topology in an ACEPACK™ 2

package with NTC, integrating the advanced trench gate field-stop technology from

STMicroelectronics. This new IGBT technology represents the best compromise

between conduction and switching loss, to maximize the efficiency of any converter

system up to 20 kHz.

Applications

• Inverters

• Motor drives

产品属性

更多
  • 产品编号:

    A2C35S12M3-F

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    三相反相器,带制动器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,35A

  • 输入:

    三相桥式整流器

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    ACEPACK™ 2

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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