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AD8506ACBZ-REEL7	文件：712.5 Kbytes Page：21 Pages	丝印：A1X；Package：WLCSP；20 μA Maximum, Rail-to-Rail I/O, Zero Input Crossover Distortion Amplifiers FEATURES PSRR: 100 dB minimum CMRR: 105 dB typical Very low supply current: 20 μA per amplifier maximum 1.8 V to 5 V single supply or ±0.9 V to ±2.5 V dual supply Rail-to-rail input/output Low noise: 45 nV/√Hz at 1 kHz 2.5 mV offset voltage maximum Very low input bias current: 1 pA typical AP 文件：712.5 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
AD8506ARMZ	文件：712.5 Kbytes Page：21 Pages	丝印：A1X；Package：MSOP；20 μA Maximum, Rail-to-Rail I/O, Zero Input Crossover Distortion Amplifiers FEATURES PSRR: 100 dB minimum CMRR: 105 dB typical Very low supply current: 20 μA per amplifier maximum 1.8 V to 5 V single supply or ±0.9 V to ±2.5 V dual supply Rail-to-rail input/output Low noise: 45 nV/√Hz at 1 kHz 2.5 mV offset voltage maximum Very low input bias current: 1 pA typical AP 文件：712.5 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
AD8506ARMZ-R7	文件：712.5 Kbytes Page：21 Pages	丝印：A1X；Package：MSOP；20 μA Maximum, Rail-to-Rail I/O, Zero Input Crossover Distortion Amplifiers FEATURES PSRR: 100 dB minimum CMRR: 105 dB typical Very low supply current: 20 μA per amplifier maximum 1.8 V to 5 V single supply or ±0.9 V to ±2.5 V dual supply Rail-to-rail input/output Low noise: 45 nV/√Hz at 1 kHz 2.5 mV offset voltage maximum Very low input bias current: 1 pA typical AP 文件：712.5 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
AD8506ARMZ-REEL	文件：712.5 Kbytes Page：21 Pages	丝印：A1X；Package：MSOP；20 μA Maximum, Rail-to-Rail I/O, Zero Input Crossover Distortion Amplifiers FEATURES PSRR: 100 dB minimum CMRR: 105 dB typical Very low supply current: 20 μA per amplifier maximum 1.8 V to 5 V single supply or ±0.9 V to ±2.5 V dual supply Rail-to-rail input/output Low noise: 45 nV/√Hz at 1 kHz 2.5 mV offset voltage maximum Very low input bias current: 1 pA typical AP 文件：712.5 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
A1X2PK	文件：60.02 Kbytes Page：2 Pages	Eaton molded case circuit breaker accessory auxiliary switch 文件：60.02 Kbytes 页数：2 Pages	EATON 伊顿	EATON
BBA31	文件：1.19666 Mbytes Page：19 Pages	丝印：A1XX；Package：DFN8L；50-5000 MHz Flat Gain BroadBand AMP Device Features • Gain = 14.8 dB @ 900MHz • OIP3 = 40.8 dBm @ 900 MHz • Output P1 dB = 22.2 dBm @ 900 MHz • N.F = 1.95dB @ 900 MHz • Internally matched to 50 ohms • Green/RoHS2 Compliant DFN 8L 2x2 Package Product Description The BBA31 is a BroadBand, GaAs E-pHEMT Amplifier that is ideal 文件：1.19666 Mbytes 页数：19 Pages	BEREX	BEREX
LPM3413	文件：400.54 Kbytes Page：4 Pages	丝印：A1XX；Package：SOT23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：400.54 Kbytes 页数：4 Pages	POWER 微源半导体	POWER

详细参数

型号：
A1X
功能描述：
IC AMP GP R-R 95KHZ DUAL 8MSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
1
放大器类型：
通用
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
0.028 V/µs
增益带宽积：
105kHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
3nA 电压 -
输入偏移：
100µV 电流 -
电源：
3.3µA 电流 -
输出/通道：
12mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
2.7 V ~ 12 V，±1.35 V ~ 6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
14-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商设备封装：
14-TSSOP
包装：
剪切带(CT)
其它名称：
OP481GRUZ-REELCT

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