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A1P25S12M3-F数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
A1P25S12M3-F |
| 参数属性 | A1P25S12M3-F 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1 |
| 功能描述 | ACEPACK 1 Sixpack拓扑，1200 V、25 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 10:46:00 |
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A1P25S12M3-F规格书详情
描述 Description
This power module is a sixpack topology in an ACEPACK™ 1 package with NTC, integrating the advanced trench gate field-stop technologies from STMicroelectronics. This new IGBT technology represents the best compromise between conduction and switching loss, to maximize the efficiency of any converter system up to 20 kHz.
特性 Features
• ACEPACK™ 1 power module
•DBC Cu Al2O3 Cu
• Sixpack topology
•1200 V, 25 A IGBTs and diodes
•Soft and fast recovery diode
• Integrated NTC
简介
A1P25S12M3-F属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的A1P25S12M3-F晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：A1P25S12M3-F
- 生产厂家
：ST
- Topology
：Sixpack
- Embedded power switches
：IGBTs
- Breakdown Voltage_max(V)
：1200
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：25
- VCE(sat)_typ(V)
：1.95
- VF_typ(V)
：2.95
- PTOT_nom(W)
：197
- Package
：ACEPACK 1
- Package size(mm)
：62.8 x 33.8
- Pin Type
：Press Fit
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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