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A1P25S12M3-F分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

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厂商型号

A1P25S12M3-F

参数属性

A1P25S12M3-F 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1

功能描述

ACEPACKTM 1 sixpack topology, 1200 V, 25 A, trench gate field‑stop M series IGBT with soft diode and NTC
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1

封装外壳

模块

文件大小

960.45 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 23:07:00

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A1P25S12M3-F规格书详情

A1P25S12M3-F属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由意法半导体集团制造生产的A1P25S12M3-F晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

特性 Features

• ACEPACK™ 1 power module

– DBC Cu Al2O3 Cu

• Sixpack topology

– 1200 V, 25 A IGBTs and diodes

– Soft and fast recovery diode

• Integrated NTC

描述 Description

This power module is a sixpack topology in an ACEPACK™ 1 package with NTC,

integrating the advanced trench gate field-stop technologies from

STMicroelectronics. This new IGBT technology represents the best compromise

between conduction and switching loss, to maximize the efficiency of any converter

system up to 20 kHz.

Applications

• Inverters

• Industrial

• Motor drives

产品属性

更多
  • 产品编号:

    A1P25S12M3-F

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,25A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    ACEPACK™ 1

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1

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