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ADP197	文件：269.25 Kbytes Page：16 Pages	5V,3ALogicControlledHigh-SidePowerSwitchMobilephones GENERALDESCRIPTION TheADP197isahigh-sideloadswitchdesignedforoperationbetween1.8Vand5.5V.Thisloadswitchprovidespowerdomainisolation,whichhelpsextendbatteryoperation.Thedevicecontainsalowon-resistance,N-channelMOSFETthatsupportsmorethan3Aofcontinuouscur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADP197CB-EVALZ	文件：269.25 Kbytes Page：16 Pages	5V,3ALogicControlledHigh-SidePowerSwitchMobilephones GENERALDESCRIPTION TheADP197isahigh-sideloadswitchdesignedforoperationbetween1.8Vand5.5V.Thisloadswitchprovidespowerdomainisolation,whichhelpsextendbatteryoperation.Thedevicecontainsalowon-resistance,N-channelMOSFETthatsupportsmorethan3Aofcontinuouscur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN197	文件：233.1 Kbytes Page：14 Pages	SERIALCOMMUNICATIONSGUIDEFORTHECP210X	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
AQZ197	文件：147.45 Kbytes Page：1 Pages	AQZSeriesLineExtension	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
AQZ197	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOSHE1FormAHighCapacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
BF197	文件：263.14 Kbytes Page：3 Pages	TRANZYSTORNPN	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BF197	文件：226.57 Kbytes Page：2 Pages	TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BFG197	文件：93.07 Kbytes Page：13 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFG197isasiliconNPNtransistorina4-pin,dual-emitterplasticSOT143envelope.ItisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchassatelliteTVsystemsandrepeateramplifiersinfibre-opticsystems. FEATURES •Highpowergain •Lownois	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG197/X	文件：93.07 Kbytes Page：13 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFG197isasiliconNPNtransistorina4-pin,dual-emitterplasticSOT143envelope.ItisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchassatelliteTVsystemsandrepeateramplifiersinfibre-opticsystems. FEATURES •Highpowergain •Lownois	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG197/XR	文件：93.07 Kbytes Page：13 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFG197isasiliconNPNtransistorina4-pin,dual-emitterplasticSOT143envelope.ItisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchassatelliteTVsystemsandrepeateramplifiersinfibre-opticsystems. FEATURES •Highpowergain •Lownois	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
A197M
制造商：
Powerex Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
250A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-205AB，DO-9，接线柱
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

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