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ADPA1106ACGZN	文件：1.23752 Mbytes Page：19 Pages	46dBm(40W),2.7GHzto3.5GHz,GaNPowerAmplifier GENERALDESCRIPTION TheADPA1106isagalliumnitride(GaN),broadbandpoweramplifier thatdelivers46dBm(40W)with56typicalpoweradded efficiency(PAE)acrossabandwidthof2.7GHzto3.1GHz.The ADPA1106hasagainflatnessof±0.15dBacrossthe2.7GHzto 3.1GHzfrequencyrange.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADPA1106-EVALZ	文件：1.23752 Mbytes Page：19 Pages	46dBm(40W),2.7GHzto3.5GHz,GaNPowerAmplifier GENERALDESCRIPTION TheADPA1106isagalliumnitride(GaN),broadbandpoweramplifier thatdelivers46dBm(40W)with56typicalpoweradded efficiency(PAE)acrossabandwidthof2.7GHzto3.1GHz.The ADPA1106hasagainflatnessof±0.15dBacrossthe2.7GHzto 3.1GHzfrequencyrange.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ALD1106	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106	文件：82.82 Kbytes Page：9 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroad rangeofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offer highinputimpedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.The transistor	ADL ADL Embedded Solutions	ADL
ALD1106	文件：106.16 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrange ofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offerhighinput impedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.Thetransistor	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106DB	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106DB	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106PB	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106PBL	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1106PBL	文件：82.82 Kbytes Page：9 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroad rangeofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offer highinputimpedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.The transistor	ADL ADL Embedded Solutions	ADL

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产品属性

产品编号：
A1106ELHLT-T
制造商：
Allegro MicroSystems
类别：
传感器，变送器 > 磁性传感器 - 开关（固态）
包装：
散装
功能：
单极开关
技术：
霍尔效应
极化：
南极
感应范围：
43mT 跳闸，16mT 释放
测试条件：
-40°C ~ 85°C
电压 - 供电：
3.8V ~ 24V
电流 - 供电（最大值）：
7.5mA
电流 - 输出（最大值）：
25mA
输出类型：
开路漏极
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-23W
封装/外壳：
SOT-23W
描述：
MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23W

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