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TTA008B	文件：307.37 Kbytes Page：8 Pages	Marking：A008B；Package：TO-126N；Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type Applications •PowerAmplifiers •PowerSwitching Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=100to200(IC=-0.5A) (2)Lowcollectoremittersaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) (3)High-speedswitching:tstg=300ns(typ.)(IC=-1A) (4)ComplementarytoTTC015B	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TTA008B

文件：307.37 Kbytes

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Marking：A008B；Package：TO-126N；Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type

Applications •PowerAmplifiers •PowerSwitching Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=100to200(IC=-0.5A) (2)Lowcollectoremittersaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) (3)High-speedswitching:tstg=300ns(typ.)(IC=-1A) (4)ComplementarytoTTC015B

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多A008B供应商更新时间2025-5-21 14:16:00

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