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HFMDT20166	文件：119.73 Kbytes Page：4 Pages	Armoiresmodulairesautoportantespourcoupe-circuitdetype12	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
HFMDT20166	文件：117.43 Kbytes Page：1 Pages	PAINTEDTEXTUREDGRAYRAL7035	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
HMET20166	文件：118.28 Kbytes Page：1 Pages	PAINTEDTEXTUREDGRAYRAL7035	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
HMET20166	文件：114.63 Kbytes Page：3 Pages	Armoireautoportantemodulairea2portesenacierdouxdetype12	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
IMET20166	文件：83.01 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
IMET20166	文件：150.17 Kbytes Page：4 Pages	Armoireautoportantemodulairea2portesenacierdouxdetype12	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
NCS20166	文件：1.55164 Mbytes Page：13 Pages	PrecisionOperationalAmplifier,LowOffset,10MHz,Rail-to-RailInput/Output	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV20166	文件：1.55164 Mbytes Page：13 Pages	PrecisionOperationalAmplifier,LowOffset,10MHz,Rail-to-RailInput/Output	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PHW20166	文件：126.76 Kbytes Page：2 Pages	Armoiremuraleenpolyesterdetype4X	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
PHW20166	文件：88.04 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
PTB20166	文件：46.1 Kbytes Page：3 Pages	23Watts,675-925MHzCommonBaseRFPowerTransistor Description The20166isanNPN,commonbaseRFpowertransistorintendedfor24–30VdcclassCoperationfrom675to925MHz.Ratedat23wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandpulsedapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareused	Ericsson Ericsson Microelectronics	Ericsson
ST20166LG	文件：116.87 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
ST20166LG	文件：102.52 Kbytes Page：3 Pages	Armoiremuraleenacierdouxdetype4avectoitincline	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND

详细参数

型号：
A-20166GSC
制造商：
Pentair Technical Products/Hoffman
功能描述：
Box 20.00x16.00x6.00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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