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98AON13852G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

98AON13852G
厂商型号

98AON13852G

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

文件大小

363.47 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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98AON13852G规格书详情

Features

• Typ. RDS(on) = 40 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)

• 100% Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

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