首页>947D271K112AEGSN>规格书详情
947D271K112AEGSN电容器薄膜电容器规格书PDF中文资料
![947D271K112AEGSN](https://img.114ic.com/dgk/Photos/Cornell%20Dubilier%20Photos/947D271K112AEGSN.jpg)
厂商型号 |
947D271K112AEGSN |
参数属性 | 947D271K112AEGSN 封装/外壳为径向,Can;包装为散装;类别为电容器 > 薄膜电容器;947D271K112AEGSN应用范围:DC 链路,DC 滤波;产品描述:CAP FILM 270UF 10% 1.1KVDC RAD |
功能描述 | High Current, High Capacitance for Inverter Applications |
文件大小 |
590.92 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Cornell Dubilier Electronics |
企业简称 |
CDE |
中文名称 | Cornell Dubilier Electronics官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 17:54:00 |
相关芯片规格书
更多- 947D151K132BCMSN
- 947D152K901DLRSN
- 947D161K132ADGSN
- 947D181K122BCMSN
- 947D181K132BDMSN
- 947D191K112ACGSN
- 947D191K122ADGSN
- 947D191K132AEGSN
- 947D191K132CCRSN
- 947D211K132AFGSN
- 947D211K132BEMSN
- 947D221K112BCMSN
- 947D221K122AEGSN
- 947D221K122BDMSN
- 947D221K122CCRSN
- 947D231K112ADGSN
- 947D231K132CDRSN
- 947D241K102ACGSN
947D271K112AEGSN规格书详情
947D271K112AEGSN属于电容器 > 薄膜电容器。Cornell Dubilier Electronics制造生产的947D271K112AEGSN薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。
产品属性
- 产品编号:
947D271K112AEGSN
- 制造商:
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 类别:
电容器 > 薄膜电容器
- 系列:
947D
- 包装:
散装
- 容差:
±10%
- 额定电压 - AC:
230V
- 额定电压 - DC:
1100V(1.1kV)
- 介电材料:
聚丙烯(PP),金属化
- 工作温度:
-45°C ~ 85°C
- 安装类型:
底座,接线柱安装
- 封装/外壳:
径向,Can
- 大小 / 尺寸:
3.346" 直径(85.00mm)
- 高度 - 安装(最大值):
3.976"(101.00mm)
- 端接:
螺纹,母头
- 引线间距:
1.260"(32.00mm)
- 应用:
DC 链路,DC 滤波
- 描述:
CAP FILM 270UF 10% 1.1KVDC RAD