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91955B	文件：739.58 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive crit 文件：739.58 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
91A1AB16B10L	文件：0 bytes Page：0 Pages	电位器	BOURNS 伯恩斯上传：谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	BOURNS
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更多91955B供应商更新时间2026-4-18 10:20:00