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BSZ900N15NS3G	文件：621.17 Kbytes Page：9 Pages	丝印：900N15N；Package：PG-TSDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R ps(n) product (FOM) • Very low on-resistance Ros(on) 150 °C operating temperature • Pb-free lead plating: RoHS compliant • Qualified according to JEDEC for target application •Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：621.17 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
900N15N	文件：621.17 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R ps(n) product (FOM) • Very low on-resistance Ros(on) 150 °C operating temperature • Pb-free lead plating: RoHS compliant • Qualified according to JEDEC for target application •Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：621.17 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
900N15N
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOSTM3 Power-Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BSZ900N15NS3G	Infineon(英飞凌)	23+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BSZ900N15NS3G	INFINEON/英飞凌	20+	TDSON-8	10000		询价
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更多900N15N供应商更新时间2025-9-21 8:11:00

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