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8403607JA	文件：31.93 Kbytes Page：6 Pages	2K x 8 CMOS RAM Description The HM-6516 is a CMOS 2048 x 8 Static Random Access Memory. Extremely low power operation is achieved by the use of complementary MOS design techniques. This low power is further enhanced by the use of synchronous circuit techniques that keep the active (operating) power low, which 文件：31.93 Kbytes 页数：6 Pages	INTERSIL	INTERSIL
8403607JA	文件：84.26 Kbytes Page：6 Pages	2K x 8 CMOS RAM Features • Low Power Standby. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275μW Max • Low Power Operation . . . . . . . . . . . . . .55mW/MHz Max • Fast Access Time . . . . . . . . . . . . . . . . . 120/200ns Max • Industry Standard Pinout • Single Supply . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：84.26 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
8403607ZA	文件：84.26 Kbytes Page：6 Pages	2K x 8 CMOS RAM Features • Low Power Standby. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275μW Max • Low Power Operation . . . . . . . . . . . . . .55mW/MHz Max • Fast Access Time . . . . . . . . . . . . . . . . . 120/200ns Max • Industry Standard Pinout • Single Supply . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：84.26 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
8403607ZA	文件：31.93 Kbytes Page：6 Pages	2K x 8 CMOS RAM Description The HM-6516 is a CMOS 2048 x 8 Static Random Access Memory. Extremely low power operation is achieved by the use of complementary MOS design techniques. This low power is further enhanced by the use of synchronous circuit techniques that keep the active (operating) power low, which 文件：31.93 Kbytes 页数：6 Pages	INTERSIL	INTERSIL

详细参数

型号：
8403607JA
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
SMD 6516B DIP PKG - Bulk

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