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8205AS6	文件：532.97 Kbytes Page：7 Pages	Channel enhancement mode power MOSFET Description Pinout Common drain N-channel enhancement mode power field effect transistor 8205A/8205B/8205C It features fast switching, ultra-low on-resistance and high cost performance. 8205A/8205B/8205C are suitable for designing circuits for battery protection or low-voltage switching. 2. 文件：532.97 Kbytes 页数：7 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SMC8205AS6-TRG	文件：445.3 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET FEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFETs • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：445.3 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
8205HA	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-6	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满
8205HA/W	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-6	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满
8205LA	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP-8	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满

更多8205AS6供应商更新时间2026-4-18 11:00:00