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74V1T00S	文件：48.37 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE 2-INPUT NAND GATE DESCRIPTION The 74V1T00 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. The internal circuit is composed of 3 stages including buffer output, which provide high noise immunity and stable output. Powe 文件：48.37 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1T00STR	文件：108.61 Kbytes Page：9 Pages	SINGLE 2-INPUT NAND GATE 文件：108.61 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1T00STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74A，SOT-753；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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74V1T00	文件：48.37 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE 2-INPUT NAND GATE DESCRIPTION The 74V1T00 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. The internal circuit is composed of 3 stages including buffer output, which provide high noise immunity and stable output. Powe 文件：48.37 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1T00C	文件：48.37 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE 2-INPUT NAND GATE DESCRIPTION The 74V1T00 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. The internal circuit is composed of 3 stages including buffer output, which provide high noise immunity and stable output. Powe 文件：48.37 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
74V1T00S
功能描述：
逻辑门 Single 2-Input NAND
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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