74LVC1G86集成电路(IC)的门反相器规格书PDF中文资料
74LVC1G86规格书详情
DESCRIPTION
The 74LVC1G86 is a high-performance, low-power, low-voltage, Si-gate CMOS device, superior to most advanced CMOS compatible TTL families.
Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. These features allow the use of these devices in a mixed 3.3 V and 5 V environment.
FEATURES
• Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
• High noise immunity
• Complies with JEDEC standard:
– JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
– JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
– JESD8B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).
•±24 mA output drive (VCC= 3.0 V)
• CMOS low power consumption
• Latch-up performance exceeds 250 mA
• Direct interface with TTL levels
• Inputs accept voltages up to 5 V
• Multiple package options
• ESD protection:
– HBM EIA/JESD22-A114-B exceeds 2000 V
– MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200 V.
• Specified from−40°C to +85°C and −40°C to +125°C.
产品属性
- 产品编号:
74LVC1G86FW4-7
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
集成电路(IC) > 门和反相器
- 系列:
74LVC
- 包装:
卷带(TR)
- 逻辑类型:
XOR(异或)
- 输入数:
2
- 电压 - 供电:
1.65V ~ 5.5V
- 电流 - 输出高、低:
32mA,32mA
- 逻辑电平 - 低:
0.7V ~ 0.8V
- 逻辑电平 - 高:
1.7V ~ 2V
- 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:
4ns @ 5V,50pF
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
X2-DFN1010-6
- 封装/外壳:
6-XFDFN
- 描述:
IC GATE XOR 1CH 2-INP DFN1010-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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NA |
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恩XP |
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DIODES/美台 |
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