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74LVC1G00集成电路(IC)的门反相器规格书PDF中文资料

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厂商型号

74LVC1G00

参数属性

74LVC1G00 封装/外壳为6-XFDFN;包装为管件;类别为集成电路(IC)的门反相器;产品描述:IC GATE NAND 1CH 2-INP DFN1010-6

功能描述

SINGLE 2 INPUT POSITIVE NAND GATE
IC GATE NAND 1CH 2-INP DFN1010-6

封装外壳

6-XFDFN

文件大小

199.81 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-1 22:58:00

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74LVC1G00规格书详情

74LVC1G00属于集成电路(IC)的门反相器。由美台半导体制造生产的74LVC1G00门和反相器逻辑栅极和逆变器系列中的产品对单个逻辑信号执行基本逻辑运算(例如 AND、NOT、OR 等)。与触发器不同,它们不能够存储信息,不会对提供给其输入的信号立即做出响应。虽然早就被集成电路实施形式所取代,以用于实现复杂功能,但分立栅极仍可在仅需要非常简单逻辑功能的情况下使用。

描述 Description

The 74LVC1G00 is a single 2-input positive NAND gate with a standard totem pole output. The device is designed for operation with a power supply range of 1.65V to 5.5V. The inputs are tolerant to 5.5V allowing this device to be used in a mixed voltage environment. The device is fully specified for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry disables the output preventing damaging current backflow when the device is powered down.

特性 Features

• Wide Supply Voltage Range from 1.65 to 5.5V

• ± 24mA Output Drive at 3.3V

• CMOS low power consumption

• IOFF Supports Partial-Power-Down Mode Operation

• Inputs accept up to 5.5V

• ESD Protection Exceeds JESD 22

• 200-V Machine Model (A115-A)

• 2000-V Human Body Model (A114-A)

• Latch-Up Exceeds 100mA per JESD 78, Class II

• Range of Package Options

• Direct Interface with TTL Levels

• SOT25 and SOT353: Assembled with “Green” Molding Compound (no Br, Sb)

• Lead Free Finish/ RoHS Compliant

Applications

• Voltage Level Shifting

• General Purpose Logic

• Power Down Signal Isolation

• Wide array of products such as.

• PCs, networking, notebooks, netbooks, PDAs

• Computer peripherals, hard drives, CD/DVD ROM

• TV, DVD, DVR, set top box

• Cell Phones, Personal Navigation / GPS

• MP3 players ,Cameras, Video Recorders

产品属性

更多
  • 产品编号:

    74LVC1G00FW4-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 门和反相器

  • 系列:

    74LVC

  • 包装:

    管件

  • 逻辑类型:

    与非门

  • 输入数:

    2

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 5.5V

  • 电流 - 输出高、低:

    32mA,32mA

  • 逻辑电平 - 低:

    0.7V ~ 0.8V

  • 逻辑电平 - 高:

    1.7V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:

    5.5ns @ 5V,50pF

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    X2-DFN1010-6

  • 封装/外壳:

    6-XFDFN

  • 描述:

    IC GATE NAND 1CH 2-INP DFN1010-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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