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CD74HCT30	文件：349.75 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeedCMOSLogic8-InputNANDGate	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CD74HCT30	文件：754.2 Kbytes Page：18 Pages	HighSpeedCMOSLogic8-InputNANDGate	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CD74HCT30E	文件：349.75 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeedCMOSLogic8-InputNANDGate	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CD74HCT30E	文件：754.2 Kbytes Page：18 Pages	HighSpeedCMOSLogic8-InputNANDGate	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CD74HCT30M	文件：754.2 Kbytes Page：18 Pages	HighSpeedCMOSLogic8-InputNANDGate	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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CD74HCT30MT	文件：754.2 Kbytes Page：18 Pages	HighSpeedCMOSLogic8-InputNANDGate	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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IN74HCT30A	文件：242.03 Kbytes Page：5 Pages	8-InputNANDGate TheIN74HCT30Aishigh-speedSi-gateCMOSdeviceandispincompatiblewithlowpowerSchottkyTTL(LSTTL).Thedeviceprovidethe8-inputNANDfunction. •OutputsDirectlyInterfacetoCMOS,NMOS,andTTL •OperatingVoltageRange:4.5to5.5V •LowInputCurrent:1.0µA •HighNoiseImmuni	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL
IN74HCT30A	文件：254.35 Kbytes Page：5 Pages	HighNoiseImmunityCharacteristicofCMOSDevices	IKSEMICON IK Semicon Co., Ltd	IKSEMICON

详细参数

型号：
74HCT30PW-T
功能描述：
逻辑门 8-INPUT NAND GATE
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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