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74HCT2G00DP-Q100中文资料Dual 2-input NAND gate数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
74HCT2G00DP-Q100 |
| 参数属性 | 74HCT2G00DP-Q100 封装/外壳为8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的门反相器；产品描述：IC GATE NAND 2CH 2-INP 8TSSOP |
| 功能描述 | Dual 2-input NAND gate |
| 封装外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 9:06:00 |
| 人工找货 | 74HCT2G00DP-Q100价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
74HCT2G00DP-Q100规格书详情
描述 Description
The 74HC2G00-Q100; 74HCT2G00-Q100 is a dual 2-input NAND gate. Inputs include clamp diodes that enable the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of VCC.
This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q100 (Grade 1) and is suitable for use in automotive applications.
特性 Features
• Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 1)
• Specified from -40°C to +85°C and from -40°C to +125°C
• Wide supply voltage range from 2.0V to 6.0V
• Input levels:
• For 74HC2G00-Q100: CMOS level
• For 74HCT2G00-Q100: TTL level
• Symmetrical output impedance
• High noise immunity
• Low power dissipation
• Balanced propagation delays
• Multiple package options
• ESD protection:
• MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000V
• HBM JESD22-A114F exceeds 2000V
• MM JESD22-A115-A exceeds 200V (C = 200pF, R = 0Ω)
技术参数
- 制造商编号
：74HCT2G00DP-Q100
- 生产厂家
：Nexperia
- VCC (V)
：4.5 - 5.5
- Logic switching levels
：TTL
- Output drive capability (mA)
：± 4
- tpd (ns)
：12
- fmax (MHz)
：36
- Nr of bits
：2
- Power dissipation considerations
：low
- Tamb (°C)
：-40~125
- Rth(j-a) (K/W)
：216
- Ψth(j-top) (K/W)
：20.5
- Rth(j-c) (K/W)
：106
- Package name
：TSSOP8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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