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74HCT1G00GW-Q100集成电路(IC)的门反相器规格书PDF中文资料

74HCT1G00GW-Q100
厂商型号

74HCT1G00GW-Q100

参数属性

74HCT1G00GW-Q100 封装/外壳为5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的门反相器;产品描述:IC GATE NAND 1CH 2-INP 5TSSOP

功能描述

2-input NAND gate
IC GATE NAND 1CH 2-INP 5TSSOP

丝印标识

TA

封装外壳

SOT353-1 / 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

文件大小

205.7 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 18:23:00

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74HCT1G00GW-Q100规格书详情

74HCT1G00GW-Q100属于集成电路(IC)的门反相器。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的74HCT1G00GW-Q100门和反相器逻辑栅极和逆变器系列中的产品对单个逻辑信号执行基本逻辑运算(例如 AND、NOT、OR 等)。与触发器不同,它们不能够存储信息,不会对提供给其输入的信号立即做出响应。虽然早就被集成电路实施形式所取代,以用于实现复杂功能,但分立栅极仍可在仅需要非常简单逻辑功能的情况下使用。

1. General description

The 74HC1G00-Q100; 74HCT1G00-Q100 is a single 2-input NAND gate. Inputs include clamp

diodes. This enables the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of

VCC.

This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q100

(Grade 1) and is suitable for use in automotive applications.

2. Features and benefits

• Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 1)

• Specified from -40 °C to +85 °C and from -40 °C to +125 °C

• Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V

• CMOS low power dissipation

• Input levels:

• For 74HC1G00-Q100: CMOS level

• For 74HCT1G00-Q100: TTL level

• Symmetrical output impedance

• High noise immunity

• Balanced propagation delays

• Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD78 Class II Level B

• Complies with JEDEC standards:

• JESD8C (2.7 V to 3.6 V)

• JESD7A (2.0 V to 6.0 V)

• ESD protection:

• MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000 V

• HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

• MM JESD22-A115-A exceeds 200 V (C = 200 pF, R = 0 Ω)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    74HCT1G00GW-Q100H

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 门和反相器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100, 74HCT

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 逻辑类型:

    与非门

  • 输入数:

    2

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 电流 - 输出高、低:

    2mA,2mA

  • 逻辑电平 - 低:

    0.8V

  • 逻辑电平 - 高:

    2V

  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:

    12ns @ 4.5V,50pF

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    5-TSSOP

  • 封装/外壳:

    5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

  • 描述:

    IC GATE NAND 1CH 2-INP 5TSSOP

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