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74HC245DTR2G集成电路(IC)的缓冲器驱动器接收器收发器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
74HC245DTR2G |
参数属性 | 74HC245DTR2G 封装/外壳为20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的缓冲器驱动器接收器收发器;产品描述:IC TXRX NON-INVERT 6V 20TSSOP |
功能描述 | Octal 3?뭆tate Noninverting Bus Transceiver |
封装外壳 | 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
文件大小 |
127.05 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 23:06:00 |
人工找货 | 74HC245DTR2G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
74HC245DTR2G规格书详情
74HC245DTR2G属于集成电路(IC)的缓冲器驱动器接收器收发器。由安森美半导体公司制造生产的74HC245DTR2G缓冲器,驱动器,接收器,收发器逻辑缓冲器、驱动器、接收器和收发器允许隔离对某个电路的逻辑信号的访问,以用于另一电路。缓冲器将其输入信号(不变或反相)传递到其输出,并可能用于清除弱信号或驱动负载。在布尔逻辑仿真器中,缓冲器主要用于增加传播延迟。逻辑接收器和收发器允许在数据总线之间进行隔离通信。
Octal 3−State Noninverting Bus Transceiver
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The 74HC245 is identical in pinout to the LS245. The device inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pull−up resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
The HC245 is a 3−state noninverting transceiver that is used for 2−way asynchronous communication between data buses. The device has an active−low Output Enable pin, which is used to place the I/O ports into high−impedance states. The Direction control determines whether data flows from A to B or from B to A.
Features
• Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
• Low Input Current: 1.0 A
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard No. 7A
• ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V
• Chip Complexity: 308 FETs or 77 Equivalent Gates
• This is a Pb−Free Device
产品属性
更多- 产品编号:
74HC245DTR2G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
集成电路(IC) > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 系列:
74HC
- 包装:
卷带(TR)
- 逻辑类型:
收发器,非反相
- 每个元件位数:
8
- 输出类型:
三态
- 电流 - 输出高、低:
7.8mA,7.8mA
- 电压 - 供电:
2V ~ 6V
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
20-TSSOP
- 描述:
IC TXRX NON-INVERT 6V 20TSSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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