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74HC08DR2G集成电路(IC)的门反相器规格书PDF中文资料

74HC08DR2G
厂商型号

74HC08DR2G

参数属性

74HC08DR2G 封装/外壳为14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的门反相器;产品描述:IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC

功能描述

Quad 2?묲nput AND Gate High?뭁erformance Silicon?묰ate CMOS
IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC

封装外壳

14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

126.91 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 23:06:00

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74HC08DR2G规格书详情

74HC08DR2G属于集成电路(IC)的门反相器。由安森美半导体公司制造生产的74HC08DR2G门和反相器逻辑栅极和逆变器系列中的产品对单个逻辑信号执行基本逻辑运算(例如 AND、NOT、OR 等)。与触发器不同,它们不能够存储信息,不会对提供给其输入的信号立即做出响应。虽然早就被集成电路实施形式所取代,以用于实现复杂功能,但分立栅极仍可在仅需要非常简单逻辑功能的情况下使用。

Quad 2−Input AND Gate

High−Performance Silicon−Gate CMOS

The 74HC08 is identical in pinout to the LS08. The device inputs are compatible with Standard CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL outputs.

Features

• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads

• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL

• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V

• Low Input Current: 1.0 A

• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices

• In Compliance With the JEDEC Standard No. 7A Requirements

• ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V

• Chip Complexity: 24 FETs or 6 Equivalent Gates

• These are Pb−Free Devices

产品属性

更多
  • 产品编号:

    74HC08DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 门和反相器

  • 系列:

    74HC

  • 包装:

    管件

  • 逻辑类型:

    与门

  • 输入数:

    2

  • 电压 - 供电:

    2V ~ 6V

  • 电流 - 输出高、低:

    5.2mA,5.2mA

  • 逻辑电平 - 低:

    0.5V ~ 1.8V

  • 逻辑电平 - 高:

    1.5V ~ 4.2V

  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:

    13ns @ 6V,50pF

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    14-SOIC

  • 封装/外壳:

    14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC

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