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74AUP1G11GM集成电路(IC)门反相器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
74AUP1G11GM |
参数属性 | 74AUP1G11GM 封装/外壳为6-XFDFN;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 门和反相器;产品描述:IC GATE AND 1CH 3-INP 6XSON |
功能描述 | Low-power 3-input AND gate |
文件大小 |
254.95 Kbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-24 15:33:00 |
74AUP1G11GM规格书详情
1. General description
The 74AUP1G11 is a single 3-input AND gate. Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit
tolerant of slower input rise and fall times. This device ensures very low static and dynamic power
consumption across the entire VCC range from 0.8 V to 3.6 V. This device is fully specified for
partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry disables the output, preventing the
potentially damaging backflow current through the device when it is powered down.
2. Features and benefits
• Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
• Low static power consumption; ICC = 0.9 μA (maximum)
• High noise immunity
• Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II Level B
• Overvoltage tolerant inputs to 3.6 V
• Low noise overshoot and undershoot < 10 of VCC
• IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation
• Complies with JEDEC standards:
• JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
• JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
• JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
• JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
• JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
• ESD protection:
• HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
• MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
• CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
• Multiple package options
• Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C
74AUP1G11GM属于集成电路(IC) > 门和反相器。安世半导体(中国)有限公司制造生产的74AUP1G11GM门和反相器逻辑栅极和逆变器系列中的产品对单个逻辑信号执行基本逻辑运算(例如 AND、NOT、OR 等)。与触发器不同,它们不能够存储信息,不会对提供给其输入的信号立即做出响应。虽然早就被集成电路实施形式所取代,以用于实现复杂功能,但分立栅极仍可在仅需要非常简单逻辑功能的情况下使用。
产品属性
- 产品编号:
74AUP1G11GM,132
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 门和反相器
- 系列:
74AUP
- 包装:
管件
- 逻辑类型:
与门
- 输入数:
3
- 电压 - 供电:
0.8V ~ 3.6V
- 电流 - 输出高、低:
4mA,4mA
- 逻辑电平 - 低:
0.7V ~ 0.9V
- 逻辑电平 - 高:
1.6V ~ 2V
- 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:
6.1ns @ 3.3V,30pF
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
6-XSON,SOT886(1.45x1)
- 封装/外壳:
6-XFDFN
- 描述:
IC GATE AND 1CH 3-INP 6XSON
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
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NXP |
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NXP |
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