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74AC11000DR

丝印:AC11000;Package:SOIC;QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE

FEATURES · Center-Pin VCC and GND Configurations Minimize High-Speed Switching Noise · EPIC™ (Enhanced-Performance Implanted CMOS) 1-mm Process · 500-mA Typ Latch-Up Immunity at 125°C · Package Options Include Plastic Small-Outline (D) Packages and Standard Plastic 300-mil DIPs (N) DESC

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74AC11000DR

QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE

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74AC11000DR.A

丝印:AC11000;Package:SOIC;QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE

FEATURES · Center-Pin VCC and GND Configurations Minimize High-Speed Switching Noise · EPIC™ (Enhanced-Performance Implanted CMOS) 1-mm Process · 500-mA Typ Latch-Up Immunity at 125°C · Package Options Include Plastic Small-Outline (D) Packages and Standard Plastic 300-mil DIPs (N) DESC

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74AC11000DRE4

QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE

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74AC11000DRG4

QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND GATE

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74AC11000DR

Package:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 门和反相器 描述:IC GATE NAND 4CH 2-INP 16SOIC

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产品属性

  • 产品编号:

    74AC11000DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 门和反相器

  • 系列:

    74AC

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 逻辑类型:

    与非门

  • 输入数:

    2

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 5.5V

  • 电流 - 输出高、低:

    24mA,24mA

  • 逻辑电平 - 低:

    0.9V ~ 1.65V

  • 逻辑电平 - 高:

    2.1V ~ 3.85V

  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:

    6.5ns @ 5V,50pF

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    16-SOIC

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    IC GATE NAND 4CH 2-INP 16SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI(德州仪器)
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更多74AC11000DR供应商 更新时间2025-12-12 23:01:00