| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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680 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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78300 |
23+ |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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原厂 |
50 |
2020+ |
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深圳市冠亿通科技有限公司8年
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25000 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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58600 |
23+ |
一级代理放心采购 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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原厂 |
216 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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73389图片
73389_Q中文资料Alldatasheet PDF
更多73389功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
73389_Q制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
73389Q制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
