| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
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IDT, Integrated Device Technol20-SOIC |
53200 |
24+ |
一级代理/放心采购 |
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13年
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DIP |
2700 |
25+ |
全新原装自家现货优势! |
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6年
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Renesas电联咨询 |
7800 |
25+ |
公司现货,提供拆样技术支持 |
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6年
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IDTSOP-20 |
1001 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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IDT, Integrated Device Technol20-SOIC |
53200 |
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一级代理/放心采购 |
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IDT, Integrated Device Technol20-SOIC |
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IDT, Integrated Device Technol20-SOIC |
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IDT, Integrated Device Technol20-SOIC |
53200 |
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IDT, Integrated Device Technol20-SOIC |
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IDT, Integrated Device Technol20-SOIC |
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Renesas电联咨询 |
7800 |
25+ |
公司现货,提供拆样技术支持 |
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Renesas电联咨询 |
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72413L图片
72413L25SOG8中文资料Alldatasheet PDF
更多72413L25P功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
72413L25SO功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
72413L25SO8制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 64 x 5 20-Pin SOIC T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 64 X 5 20SOIC - Tape and Reel
72413L25SOG功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
72413L25SOG8功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
72413L35P功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
72413L35SO功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:
72413L35SO8制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 64 x 5 20-Pin SOIC T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 64 X 5 20SOIC - Tape and Reel

















