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256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect | IDT Integrated Device Technology, Inc. | IDT | ||
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256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect | IDT Integrated Device Technology, Inc. | IDT |
产品属性
- 产品编号:
71V67903S85PFG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 同步,SDR
- 存储容量:
9Mb(512K x 18)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
100-LQFP
- 供应商器件封装:
100-TQFP(14x14)
- 描述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
100-TQFP(14x14) |
56200 |
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IDT |
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TQFP-100(14x14) |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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IDT |
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Integrated Device Technology |
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原厂原包装 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
TQFP100(14x20) |
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Renesas Electronics Corporatio |
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100-LQFP |
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