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71V67903S80PFGI	文件：301.85 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports fast access times: – 7.5ns up to 117MHz clock frequency – 8.0ns up to 100MHz clock frequency – 8.5ns up to 87MHz clock frequency ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global write c 文件：301.85 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V67903S80PFGI8	文件：301.85 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports fast access times: – 7.5ns up to 117MHz clock frequency – 8.0ns up to 100MHz clock frequency – 8.5ns up to 87MHz clock frequency ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global write c 文件：301.85 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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产品属性

产品编号：
71V67903S80PFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

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