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71V546S133PFG8集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

71V546S133PFG8
厂商型号

71V546S133PFG8

参数属性

71V546S133PFG8 封装/外壳为100-LQFP;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature Burst Counter and Pipelined Outputs

封装外壳

100-LQFP

文件大小

450.11 Kbytes

页面数量

22

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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71V546S133PFG8规格书详情

特性 Features

◆ 128K x 36 memory configuration, pipelined outputs

◆ Supports high performance system speed - 133 MHz

(4.2 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read

cycles

◆ Internally synchronized registered outputs eliminate the

need to control OE

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

产品属性

  • 产品编号:

    71V546S133PFG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    100-LQFP

  • 供应商器件封装:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

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