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71V3576S133PFG集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

71V3576S133PFG

参数属性

71V3576S133PFG 封装/外壳为100-LQFP;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

封装外壳

100-LQFP

文件大小

288.51 Kbytes

页面数量

19

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 14:27:00

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71V3576S133PFG规格书详情

特性 Features

◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

Commercial and Industrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

产品属性

  • 产品编号:

    71V3576S133PFG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    100-LQFP

  • 供应商器件封装:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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