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71V35761SA200BG8集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
71V35761SA200BG8 |
| 参数属性 | 71V35761SA200BG8 封装/外壳为119-BGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 128K x 36 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 文件大小 |
319.72 Kbytes |
| 页面数量 |
23 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-21 23:00:00 |
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71V35761SA200BG8规格书详情
Features
◆ 128K x 36 memory configurations
◆ Supports high system speed:
Commercial:
– 200MHz 3.1ns clock access time
Commercial and Industrial:
– 183MHz 3.3ns clock access time
– 166MHz 3.5ns clock access time
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ 3.3V core power supply
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
71V35761SA200BG8属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V35761SA200BG8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
71V35761SA200BG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
PBGA119(14x22) |
7350 |
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询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
PBGA119(14x22) |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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PBGA-119(14x22) |
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