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71V3556SA166BGG集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

71V3556SA166BGG

参数属性

71V3556SA166BGG 封装/外壳为119-BGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

封装外壳

119-BGA

文件大小

337.62 Kbytes

页面数量

29 页

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2026-10-18 10:06:00

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71V3556SA166BGG规格书详情

71V3556SA166BGG属于集成电路(IC)的存储器。由瑞萨科技有限公司制造生产的71V3556SA166BGG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

特性 Features

◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36)

(3.5 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read

cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

产品属性

更多
  • 产品编号:

    71V3556SA166BGG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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