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71V30L25TFG8集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
71V30L25TFG8 |
| 参数属性 | 71V30L25TFG8 封装/外壳为64-LQFP；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 文件大小 |
376.71 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-28 11:27:00 |
71V30L25TFG8规格书详情
Features
◆ High-speed access
– Commercial: 25/55ns (max.)
– Industrial 35ns (max.)
◆ Low-power operation
– IDT71V30S
— Active: 375mW (typ.)
— Standby: 5mW (typ.)
– IDT71V30L
— Active: 375mW (typ.)
— Standby: 1mW (typ.)
◆ On-chip port arbitration logic
◆ Interrupt flags for port-to-port communication
◆ Fully asynchronous operation from either port
◆ Battery backup operation, 2V data retention (L Only)
◆ TTL-compatible, single 3.3V ±0.3V power supply
◆ Industrial temperature range (-40OC to +85OC) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
71V30L25TFG8属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V30L25TFG8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
71V30L25TFG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 双端口，异步
- 存储容量：
8Kb（1K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
64-LQFP
- 供应商器件封装：
64-TQFP（10x10）
- 描述：
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
TQFP64(10x10) |
7350 |
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询价 | ||
INTEGRATEDDEVICETECHNOLOGY |
21+ |
NA |
12820 |
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IDT |
2021+ |
TQFP64 |
5000 |
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INTEGRATEDDEVICETECHNOLOGY |
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一级代理 |
23+ |
N/A |
58600 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2117+ |
TQFP-64(10x10) |
315000 |
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INTEGRATEDDEVICETECHNOLOGY |
23+ |
NA |
12730 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
TQFP-64(10x10) |
499 |
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IDT |
1931+ |
N/A |
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IDT |
22+ |
NA |
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