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71V124SA12PHGI8集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
71V124SA12PHGI8 |
| 参数属性 | 71V124SA12PHGI8 封装/外壳为32-SOIC(0.400",10.16mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| 封装外壳 | 32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) |
| 文件大小 |
192.06 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-7 16:40:00 |
| 人工找货 | 71V124SA12PHGI8价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
71V124SA12PHGI8规格书详情
特性 Features
◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
reduced noise
◆ Equal access and cycle times
– Commercial: 10/12/15ns
– Industrial: 10/12/15ns
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible
◆ Single 3.3V supply
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in a 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and
32-pin Type II TSOP packages
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
产品属性
- 产品编号:
71V124SA12PHGI8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
1Mb(128K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
12ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
32-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
SOJ32 |
7350 |
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IDT |
24+ |
SOJ |
203 |
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Renesas |
25+ |
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IDT |
25+ |
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IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
32-TSOP II |
56200 |
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IDT |
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ZIP-32 |
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IDT |
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RENESAS |
4 |
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Renesas Electronics America In |
25+ |
32-SOIC(0.400 10.16mm 宽) |
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